STMicroelectronics STD7N52DK3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
onsemiFDD6N50TM-WS
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 500 V, 0.76 Ohm, 10 V, 5 V |Onsemi FDD6N50TM_WS
InfineonSPD08N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD7N52DK3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 525 V, 0.95 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
N-channel 525 V, 0.95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh(TM) 3 Power MOSFET in DPAK package
N-Channel 525 V 1.15 Ohm Surface Mount SuperFREDMesh III MosFet - TO-252-3
525 V, 6 A, 0.95 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 525V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 525V, 6A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 525V; On Resistance Rds(on): 0.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.15 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.15 Ω
Resistance1.15 Ω
Rise Time22 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant