STMicroelectronics STB9NK60ZT4
$ 1.419
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB9NK60ZT4 | 489 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB9NK60ZT4 | 18.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB9NK60ZT4 | 1 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-12544-1-ND | 454 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB9NK60ZT4 | 0 | 1 | 14h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
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N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB9NK60ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STB9NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, N CH, 600V, 7A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 7A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 600V, 7A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):850Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB9NK60ZT4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation125 W
Rds On Max950 mΩ
Resistance950 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant