STMicroelectronics STB6NK60ZT4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB6NK60ZT4 | 4.611 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB6NK60ZT4 | 4.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB6NK60ZT4 | 4.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-12537-1-ND | 776 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STB6NK60ZT4 | 0 | 5 | Bulk | 20h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB6NK60ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STB6NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
110W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 600V 1.2¦¸@ 3A,10V 6A 905pF@25V D2PAK 4.83mm
Single N-Channel 600 V 1.2 Ohm 46 nC 110 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
MOSFET, N CH, 600V, 6A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 6A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 600V, 6A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Stmicroelectronics STB6NK60ZT4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance905 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant