STMicroelectronics STB85NF55T4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB85NF55T4 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB85NF55T4 | 1.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-19647-1-ND | 449 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB85NF55T4 | 0 | 1K | 19h | ||||||||
| Avnet | STB85NF55T4 | 0 | 1K | 4d |
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
80 A
80 A
80 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
3 V
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
3.7 nF
5.3 nF
5.3 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.01Ohm;ID 89A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-16V;-55d
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB85NF55T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB85NF55T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Automotive-grade N-channel 55 V, 0.0062 Ohm typ., 42 A, STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
N-CHANNEL 55 V-0.0062 OHM-80 A D2PAK STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 55V, 80A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):6.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:300W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time100 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant