STMicroelectronics STB80NF55L-06T4
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-07-27
LTD Date2025-01-27
Verwandte Teile
InfineonIRL2505STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 104A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
InfineonIRF1405ZSPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRF1405ZSTRLPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB85NF55T4
STB85NF55T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB80NF55L-06T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB80NF55L-06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 55 V, 3-PIN D2PAK
N-CHANNEL 55V 0.005 Ohm 80A D2PAK STripFET™ MOSFET
N-Channel 55 V 6.5 mOhm SMT StripFET II Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 55V, 80A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.005ohm; Rds; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time180 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant