STMicroelectronics STB80NF03L-04T4
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70,500
Authorized Distributors
3
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
80 A
80 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
4 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
5.5 nF
5.5 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-08-02
LTD Date2024-02-02
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB80NF03L-04T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 30V, 80A, 175Deg C, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB80NF03L-04T4
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
300W(Tc) 20V 1V@ 250¦ÌA 110nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 4m¦¸@ 40A,10V 80A 5.5nF@25V D2PAK SMD mount 10.4mm*9.35mm*4.6mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-60 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 mΩ
Rise Time270 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)30 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant