Infineon IRF1503SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 75A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20
$ 1.337
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF1503SPBF3.570
12h
Arrow ElectronicsIRF1503SPBF571
RS (Formerly Allied Electronics)IRF1503SPBF03200Bulk
2h
FarnellIRF1503SPBF01
12h
Win SourceWS-IRF1503SPBF17.00040
13h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

InfineonIRF1503STRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Details
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
Details
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Details
STMicroelectronicsSTB95N3LLH6
N-channel 30 V, 3.7 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Details
InfineonIRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details
InfineonIRF3709SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.4Milliohms;ID 90A;D2Pak;PD 120W;VGS +/-20
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1503SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:190A; Resistance, Rds On:0.0033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:960A; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.0033ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.75°C/W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:4V
Farnell

Bilder

Infineon
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Newark
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001561632