STMicroelectronics STB60NF10T4
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB80NF10T4
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET(TM) MOSFET
InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
InfineonIRF3710STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB60NF10T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB60NF10T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK
N-channel 100V - 0.019Y - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 100 V 0.023 O Surface Mount STripFET II Power MosFet - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 80A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.27 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 mΩ
Rise Time56 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant