STMicroelectronics STB4NK60ZT4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB4NK60ZT4 | 65 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB4NK60ZT4 | 2.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB4NK60ZT4 | 983 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-STB4NK60ZT4CT-ND | 4.257 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB4NK60ZT4 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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Offizielles DatenblattVor 7 Jahren
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB5NK50ZT4
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB4NK60ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK
STB4NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=600 V, 4 A, D2PAK (TO-263), , 3
MOSFET, N CH, 600V, 4A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.76ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 70W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 4A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant