Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQB10N20CTM | 0 | 1600 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQB10N20CTM | 23.622 | 7 | Tape & Reel | 5h |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB10N20CTM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB4NK60ZT4
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK
STMicroelectronicsSTB5NK50ZT4
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB10N20CTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS MOSFET N-CH 200V 9.5A 3PIN D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs N-CH/200V/10A/QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation72 W
Rds On Max360 mΩ
Rise Time92 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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