STMicroelectronics STB30N65M5
$ 2.889
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB30N65M5 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB30N65M5 | 3.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-10563-1-ND | 1.043 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB30N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB30N65M5 | 0 | 1K | 3d |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTB32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
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E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB30N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB30N65M5
140W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 650V 139m¦¸@ 11A,10V 22A 2.88nF@100V D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Resistance139 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant