STMicroelectronics STB24N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28N60DM2
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB24N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Ch MOSFET, 600V, 18A, 200mΩ@9A,10V, 150W(Tc), 25V, 5V@250µA, 29nC@10V, 1.055nF@100V, TO-263, SMD, 10.4mm L
Power MOSFETs, 600V, 18A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 18A, 150度 C, 150W;
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, 150DEG C, 150W;
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
600V 18A 2OHM SINGLE N-CH D2PAK
IC REG LINEAR 2.5V 1A 20HTSSOP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max200 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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