STMicroelectronics STB18NM60ND
$ 1.76
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STB18NM60ND | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STB18NM60ND | 0 | 5 | Bulk | 3h | |||||||
| Microchip USA | STB18NM60ND | 367 | 600 | Tray | 7d | |||||||
| Win Source | WS-STB18NM60ND | 90 | 11 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | STB18NM60ND | 17.316 | 7 | Tape & Reel | 1h |
Datenblätter und Dokumente
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB18NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 0.29 Ohm 130 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
N-channel 600 V, 0.25 Ohm typ., 13 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
STB18NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time15.5 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height4.4 mm
Length10 mm
Width8.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant