Infineon IPB65R280C6

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB65R280C6 herunter.

IHS

Datasheet19 SeitenVor 8 Jahren
Datasheet19 SeitenVor 15 Jahren

Infineon

_legacy Avnet

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPB65R280C6 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28

Verwandte Teile

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STMicroelectronicsSTB23N80K5
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB65R280C6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
650 V 0.28 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
CoolMOS C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. | Summary of Features: Easy control of switching behavior; Extremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss); Very high commutation ruggedness; Easy to use; Better light load efficiency compared to C3; Outstanding reliability with proven CoolMOS quality combined with high body diode ruggedness; Better price performance in comparison to previous CoolMOS generations; More efficient, more compact, lighter and cooler | Benefits: Improved power density; Improved reliability; General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies; Better light load effciency; Improved effciency in hard switching applications; Improved ease-of-use; Reduces possible ringing due to pcb layout and package parasitic effects | Target Applications: Consumer; Adapter; eMobility; PFC stages for server & telecom; SMPS; PC power; Solar; Lighting

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB65R280C6ATMA1
  • SP000745030