STMicroelectronics STB10N60M2
$ 0.737
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STB10N60M2CT-ND | 203 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB10N60M2 | 0 | 1K | 7h | ||||||||
| Future Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | |||||||||
| Mouser | 511-STB10N60M2 | 1.071 | 1 | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTB6NK60ZT4
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB10N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB10N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 600 V 0.6 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.31%
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation85 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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