STMicroelectronics STB11N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
VishayIRFS11N50APBF
IRFS11N50A Series 500 V 7 A 0.52 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB11N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB11N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 9 A, 710 V, 3-PIN D2PAK
N-Channel 710 V 0.48 O 85 W 17 nC Surface Mount Mdesh V Power MosFet - D2PAK
85W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 650V 480m¦¸@ 4.5A,10V 9A 644pF@100V D2PAK,TO-263
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance644 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation85 W
Rds On Max480 mΩ
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant