STMicroelectronics STW22N95K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA20N95K5
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N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW22N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 950 V 0.330 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Automotive-grade N-channel 950 V, 0.280 Ohm typ., 17.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW22N95K5
Automotive Power Discrete, 950V, 17.5A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
250W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 48nC@ 10 V 1individualNChannel 950V 330m¦¸@ 9A,10V 17.5A 1.55nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation250 W
Rds On Max330 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Datenblätter und Dokumente
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