STMicroelectronics MJD31CT4

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.423
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
3
MJD31CT437.5002500Tape & Reel
AvnetMJD31CT47.5002500
5d
Newark
2
MJD31CT47.5002500Tape & Reel
Verical
2
MJD31CT4120.0002500
Arrow Electronics
2
MJD31CT4120.0002500

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet13 SeitenVor 14 Jahren

Factory Futures

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsMJD31CT4
onsemiNJVMJD31CT4G
onsemiNJVMJD31CT4G
Price @ 1000
$ 0.423
$ 0.349
$ 0.349
Stock
2,839,646
9,846,289
9,846,289
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
-
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
-
-
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
15 W
1.56 W
1.56 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-05-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD31CT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, AMPLIFIER, POWER, VCEO 100V, IC 3A, PD 15W, TO-252,HFE 50
RS (Formerly Allied Electronics)
Bipolar Transistors (BJT); MJD31CT4; STMICROELECTRONICS; NPN; 3; 100 V; 3 A
Maritex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
LOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
ComSIT Distribution GmbH
Power Bipolar, NPN, 4V, 375mA, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
TRANSISTOR, NPN, SMD, TO-252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case Sty
Farnell
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 50 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.2 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 1.8
Distrelec

Bilder

element14
RS (Formerly Allied Electronics)
Augswan
TME
Farnell
Future Electronics
Distrelec
Jameco

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD31C/T4
  • MJD31CT4.