STMicroelectronics MJD122T4

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.344
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsMJD122T41.197.5002500
Verical
2
MJD122T42.5002500
TME
2
MJD122T42.8181
6h
DigiKey
3
497-2469-1-ND33.2771Cut Tape
Newark
2
MJD122T402500Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

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STMicroelectronics

Datasheet12 SeitenVor 20 Jahren

TME

element14 APAC

Nu Horizons

RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsMJD122T4
onsemiMJD122T4G
onsemiMJD122T4G
Price @ 1000
$ 0.344
$ 0.415
$ 0.415
Stock
5,202,045
3,592,862
3,592,862
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
-
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
2 V
2 V
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
20 W
20 W
20 W

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD122T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
ComSIT Distribution GmbH
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, AMPLIFIER, POWER, VO 100V, VI 5V, IO 8A, PD 20W, TO-252
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Darlington Transistors, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, 1000 hFE, 3 Pins, TO-252 (DPAK)
Avnet
TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 8A, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Trans
Farnell
Darlington Transistor, Npn, 100V, To-252; Transistor Polarity:Npn; No. Of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Surface Mount; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:100V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics MJD122T4
Newark
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 4 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 4.5
Distrelec

Bilder

Distrelec
element14
RS (Formerly Allied Electronics)
Augswan
Farnell
RS
Conrad
Farnell
TME
Distrelec
LZChips
DKO Electronshik

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD 122T4
  • MJD122-T4