STMicroelectronics MJB44H11T4-A

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 0.551
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
AvnetMJB44H11T4-A1.0001K
1d
TME
2
MJB44H11T4-A01K
21h
NewarkMJB44H11T4-A01
Future ElectronicsMJB44H11T4-A01KTape & Reel
Arrow ElectronicsMJB44H11T4-A02K

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TME

Datasheet11 SeitenVor 13 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsMJB44H11T4-A
onsemiMJB44H11G
onsemiMJB44H11G
Price @ 1000
$ 0.551
$ 0.61
$ 0.61
Stock
179,794
315,931
315,931
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
D2PAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
-
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
-
2 W
2 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

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Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB834WYTM
Details
onsemiNJVMJD45H11G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJB44H11T4-A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet Silica
MJB44H11T4 Series NPN 80 V 10 A - 50 W SMT Bipolar (BJT) Transistor - D²PAK
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Semicontronic
Automotive-grade low voltage NPN power transistor
STMicroelectronics
TRANSISTOR, NPN, 80V, 10A, TO-263; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Cas
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Transistor, Npn, 80V, 10A, To-263; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:10A; Power Dissipation:50W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics MJB44H11T4-A
Newark

Bilder

Farnell
TME
Lanka Micro

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJB44H11T4A