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Beschreibungen
Beschreibungen von Semelab BUZ900, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
8A, 160V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
MOSFET, N, TO-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 160V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Power Dissipation Pd: 12
N Channel Mosfet, 160V, 8A, To-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:160V; Resistencia De Activación Rds(On):1.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-; Núm. De Contactos:2 |Tt Electronics / Semelab BUZ900
Aliasnamen des Herstellers
Semelab verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Semelab ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- MAGNATEC
- SEMELAB LTD
- TT Electronics - Semelab
- Semelab/TT Electronics
- Semelab Plc
- TT Semelab
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-3
Number of Pins2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)160 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Nominal Vgs1.5 V
Power Dissipation125 W
Threshold Voltage1.5 V
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