ROHM SCT3022ALGC11
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
onsemiFCH023N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V , 75 A, 23 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTY105NM50N
N-channel 500 V, 0.018 Ohm typ., 110 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTY100NM60N
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM SCT3022ALGC11, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SCT3022AL Series 650 V 93 A 28.6 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.0286ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 93A, TO-247N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 93A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vgs: 5.6V; P
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 93A, TO-247N-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:93A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:339W RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +118%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)93 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance28.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance2.208 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation339 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation339 W
Rds On Max28.6 mΩ
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height25.5 mm
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