STMicroelectronics STY105NM50N
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTY100NM60N
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
VishayIRFPS40N60KPBF
IRFPS40N60K Series N-Channel 600 V 130 mOhm 570 W Power Mosfet - Super-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STY105NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.018 Ohm typ., 110 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 / N-Channel 500 V 110A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Through Hole
Mosfet, N-Ch, 500V, 110A, Max-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STY105NM50N
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time88 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time353 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant