ROHM RZF020P01TL
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NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP3105LVT-7
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.1A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3105LVT-7
Diodes Inc.ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6Q Series 60 V 2.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-6
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RZF020P01TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 800 mW 12 V 105 mOhm Surface Mount 1.5 V Drive MosFet - TUMT-3
800mW(Ta) 10V 1V@1mA 6.5nC@ 4.5 V 1P 12V 105m¦¸@ 2A,4.5V 2A 770pF@6V SOT-323 820¦Ìm
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, -12V, -2A, SOT-323T; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 800mW; Transistor Case Style: SOT-323T; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.25%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 MΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height770 µm
Length2 mm
Width1.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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