Infineon IRF5806TRPBF
$ 0.141
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF5806TRPBF | 57.000 | 14h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF5806TRPBF | 0 | 3K | Bulk | 3h | |||||||
| Microchip USA | IRF5806 | 291 | 3500 | Tube | 3d | |||||||
| Win Source | WS-IRF5806 | 36.000 | 18 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF5806 | 15.105 | 7 | Tube | 13h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5806TRPBF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF5806TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRF5806TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 4 A, 20 V, 6-Pin TSOP
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
Single P-Channel 20 V 147 mOhm 11.4 nC HEXFET® Power Mosfet - TSOP-6
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; P-Channel MOSFET | Target Applications: DC Switches; Load Switch
MOSFET, P, 20V, TSOP-6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.0471ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.2V; Power Dis
MOSFET, N, 20V, TSOP-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.086ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.2V; Case Style:TSOP; ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating-4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance86 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time126 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance594 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance86 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max86 mΩ
Resistance86 MΩ
Rise Time27 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time94 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5806TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen