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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-02
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RUF025N02TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM NMOS RUF025N02, Vds=20 V, 2.5 A, SOT-323, , 3
MOSFET, N-CH, 20V, 2.5A, TUMT3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 300mV; P
Mosfet, N Channel, 20V, 2.5A, Tumt3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.039Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V |Rohm RUF025N02TL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance370 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Nominal Vgs300 mV
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max54 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage300 mV
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height820 µm
Length2.1 mm
Width1.8 mm
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