20 V, 3.9 A N-CHANNEL CHIPFET POWER MOSFET WITH 3.7 A SCHOTTKY BARRIER DIODE Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 2.9A Tj 3.9A 910mW 9ns

Fly-Wing Technology

Bilder

element14

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSMD/SMT

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.9 A

Current Rating2.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance80 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Fall Time9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance300 pF

Max Operating Temperature125 °C

Max Power Dissipation910 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation910 mW

Rds On Max80 mΩ

Rise Time9 ns

Turn-Off Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)20 V

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTHD4N02FT1G herunter.