onsemi NTHD4N02FT1G

Name: onsemi NTHD4N02FT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD4N02FT1G

Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Dual N-Channel ChipFET FETKY

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Microchip USA	NTHD4N02FT1G	350	600	Tray				1,625	1,625	5h
Win Source	WS-NTHD4N02FT1G	2.260	235					0,200	0,167	13h
Worldway Electronics	NTHD4N02FT1G	28.659	7	Tape & Reel		0,074	0,072	0,068	0,068	12h
Aztech	NTHD4N02FT1G	10.410			2,180	2,180	2,180	2,180	2,180	9h
Lixinc	NTHD4N02FT1G	5.496			0,190	0,190	0,190	0,190	0,190	1d

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 20 Jahren

onsemi

Farnell

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onsemiNTHD4N02FT1G

onsemiNTHD4N02FT1

Price @ 1000

$ 0.23

Stock

780,836

345,046

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SMD/SMT

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

2.9 A

Threshold Voltage

Rds On Max

80 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

910 mW

Input Capacitance

300 pF

Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-10-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2010-07-21

LTD Date2011-01-21

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTHD4N02FT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Dual N-Channel ChipFET FETKY

onsemi

MOSFETs- Power and Small Signal 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky

Mouser

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

Verical

20 V, 3.9 A N-CHANNEL CHIPFET POWER MOSFET WITH 3.7 A SCHOTTKY BARRIER DIODE Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 2.9A Tj 3.9A 910mW 9ns

Fly-Wing Technology

Bilder

element14

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSMD/SMT

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.9 A

Current Rating2.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance80 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Fall Time9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance300 pF

Max Operating Temperature125 °C

Max Power Dissipation910 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation910 mW

Rds On Max80 mΩ

Rise Time9 ns

Turn-Off Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)20 V

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