ROHM RHP020N06T100
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST63170488 | 16.386 | 1 | 22h | ||||||||
| DigiKey | RHP020N06T100CT-ND | 109 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | RHP020N06T100 | 86.863 | 1 | |||||||||
| Verical | RHP020N06T100 | 86.863 | 8 | |||||||||
| TTI | RHP020N06T100 | 12.000 | 1K | Tape & Reel | 2d |
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Offizielles DatenblattVor 5 Jahren
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RHP020N06T100, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RHP020N06 Series 60 V 2 A 14 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - MPT-3
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
60V 2A 500mW 200mΩ@10V,2A 2.5V@1mA N Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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MOSFET, N, 60V, 2.5A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipatio
MOSFET, N, 60V, 2.5A; Transistor type:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode; Voltage, Vds typ:60V; Current, Id cont:2A; Resistance, Rds on:0.34R; Voltage, Vgs Rds on measurement:4V; Voltage, Vgs th typ:2.5V; Case RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Number of Elements1
Rds On Max200 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant