ROHM R6035ENZ1C9
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-04-15
LTD Date2020-06-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonIPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
onsemiFCH125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM R6035ENZ1C9, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
POWER MOSFET SERIES LOW NOISE
Mosfet, N-Ch, 600V, 35A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.092Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Resistance102 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.72 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage600 V
Number of Elements1
Rds On Max102 mΩ
Threshold Voltage4 V
Datenblätter und Dokumente
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