ROHM EMD53T2R
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTC143ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM EMD53T2R, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
ROHM NPN/PNP, SOT-563, , 100 mA
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
PNP+PNP -100mA -50V Complex Dig Trans
RS APAC
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Digital Transistor, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; Base-Emitter Resistor R2:10Kohm; Rohs Compliant: Yes |Rohm EMD53T2R
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Number of Elements2
Transition Frequency250 MHz
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