ROHM 2SAR523UBTL
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SAR523UBTL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SAR523UB Series 50 V 100 mA PNP General Purpose Transistor - UMT3F
General Purpose Transistors PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=120~560 P=200mW SOT323FL
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
Trans, Pnp, -50V, -0.1A, 150Deg C, 0.2W; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-50V; Transition Frequency Ft:300Mhz; Power Dissipation Pd:200Mw; Dc Collector Current:-100Ma; Dc Current Gain Hfe:120Hfe; Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SAR523UBTL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins85
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Transition Frequency300 MHz
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