Rochester Electronics BSP299L6327HUSA1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-05-15
LTD Date2013-06-11
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Rochester Electronics BSP299L6327HUSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
BSP299 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL;
Aliasnamen des Herstellers
Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONIC
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ONSEMI (VIA ROCHESTER)
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- Triscend Corp
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max4 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen