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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-05-15
LTD Date2013-11-15
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP317PL6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)430 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-250 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-250 V
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance262 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max4 Ω
Rise Time11.1 ns
Turn-Off Delay Time254 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen