Renesas NP100P06PDG-E1-AY

Name: Renesas NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: NP100P06PDG-E1-AY

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.766

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		NP100P06PDG-E1-AY	2.453	1		6,220	4,250	3,080	2,960	2,960
Renesas		NP100P06PDG-E1-AY	892	1		6,590	4,419	3,189	2,548	2,420	9m
DigiKey	3	559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND	892	1	Cut Tape	6,590	4,419	3,189	3,189	3,189
Avnet		NP100P06PDG-E1-AY	0	800					2,766	2,482	4h
Farnell		NP100P06PDG-E1-AY	2.453	1		6,257*	4,270*	3,102*	2,873*	2,873*	1h

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Integrated Device Technology

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet9 SeitenVor 19 Jahren

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

IHS

Renesas

CAD-Modelle

Pin-Tabelle

Nummer

Kategorie

Anzeigename und Funktionen

Modellinformationen

Beschafft von	Renesas
Veröffentlichungsdatum	Aug 14, 2025
IPC-konform	IPC-7351B
Überarbeitung des Styleguides	Version 1.0 - Nov 1, 2024
Datenblattquelle	Version 1.00 - Jun 10, 2022

Verifizierung

Auf der Grundlage des Styleguides und des Datenblatts für diesen Teil haben drei unabhängige Experten für Elektrotechnik Folgendes erstellt:

3 Versionen des Symbols und des 2D-Footprints
1 Version des 3D-STEP-Modells (STEP-Format AP-214)
Eine Farbpalettenkonfiguration für einen Hersteller

Alle erstellten Bibliotheksdateien sind unabhängig von der Ebenen-Zuordnung und können einfach Ihrem Design zugeordnet werden.

Die erstellten Symbole und Footprints werden dann anhand der folgenden Prüfungen verglichen:

Symbol

Automatisierte Prüfungen

Teilenummer
Wichtige Parameter
Paketcode
Pin-Namen/-Nummern
Pin-Typen

Manuelle Überprüfungen

Pin-Organisation gemäß Stilrichtlinie

Fußabdruck

Automatisierte Prüfungen

IPC-Standard
Siebdruckfreigabe
Courtyard-Überschreitung
Paketübersicht
Polaritätsmarkierung
Überprüfung der Größe und Position des Pads

3D-STEP-Modell

Manuelle Überprüfungen

Dimensionsüberprüfung
Einhaltung der Farbpaletten
Einhaltung der Formatvorgaben
Zuordnung der Ausrichtung zum 2D-Footprint
Positionsüberprüfung zum 2D-Footprint

Ein abschließender Verifizierungsprozess wird durchgeführt:

Wenn Symbole und Footprints übereinstimmen: Das Teil wird als ECAD-fähig verifiziert

Wenn Symbole und Footprints nicht übereinstimmen: Ein Senior Electronics Engineer überprüft alle Unterschiede, um sicherzustellen, dass das Bauteil den Anforderungen des Styleguides und des Datenblatts entspricht.

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Dieser Teil

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RenesasNP100P06PDG-E1-AY

RenesasNP100P06PLG-E1-AY

Price @ 1000

$ 2.766

$ 2.681

Stock

216,046

45,473

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

-100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

-20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

15 nF

Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095

Introduction Date2007-05-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas NP100P06PDG-E1-AY, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Bilder

Renesas

Newark

Component Sense

UTSource

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263

MSL1

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)-100 A

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Fall Time100 ns

Part FamilyNP100P06PDG

Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V

Input Capacitance15 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation1.8 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time35 ns

Turn-Off Delay Time275 ns

Turn-On Delay Time28 ns

Dimensions

Height4.65 mm

Length10 mm

Width9 mm

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Offizielles DatenblattVor 3 Jahren

Compliance

Umweltklassifizierung

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Reach Statement2 SeitenVor 12 Jahren

Conflict Mineral Statement2 SeitenVor 12 Jahren