onsemi TIP121

Name: onsemi TIP121
Brand: onsemi
SKU: TIP121

Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 2W 8MHz

$ 0.315

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	TIP121	75				0,379	0,315	0,281	7h
Flip Electronics		TIP121	1.000							6d
Farnell		TIP121.	0	5		0,671*	0,379*	0,345*	0,338*	1d
element14 APAC		TIP121.	0	5		0,673*	0,380*	0,346*	0,340*	20h
Worldway Electronics		TIP121	22.987	7	Tube	0,062	0,060	0,057	0,057	6h

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IHS

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Datasheet1 SeiteVor 0 Jahren

Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren

Datasheet3 SeitenVor 25 Jahren

Datasheet1 SeiteVor 25 Jahren

Datasheet6 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Fairchild Semiconductor

onsemi

element14 APAC

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Alternative Teile

onsemiTIP121

onsemiTIP121G

Price @ 1000

$ 0.315

$ 0.413

Stock

1,168,602

266,208

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220

TO-220-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

Max Collector Current

5 A

Transition Frequency

2 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

hFE Min

1000

Power Dissipation

65 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1983-08-26

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2017-11-19

LTD Date2018-05-19

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi TIP121, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 2W 8MHz

Fly-Wing Technology

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

onsemi

5 A 80 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB

Component Stockers USA

NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

ComSIT Distribution GmbH

Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transistor Case Style: T

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

TIP 121
TIP-121
TIP121.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.214 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Saturation Voltage2 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Continuous Collector Current5 A

Current Rating5 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min1000

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current5 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation65 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation65 W

Transition Frequency2 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height9.4 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

Datenblätter und Dokumente

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