onsemi TIP102
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.665
$ 0.665
Stock
383,288
259,066
259,066
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2 V
2 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP102, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 4V 8A 2W 100V
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
NPN POWER TRANSISTOR 100V/8A DARLINGTON TO-220
DARLINGTON Transistor, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V;
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:80W; DC Current Gain Min (hfe):200; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:8A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen