onsemi STDV3055L104T4G
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Stock
9,028,755
305,381
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
104 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
15 V
15 V
Power Dissipation
48 W
48 W
Input Capacitance
-
440 pF
Lieferkette
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-29
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi STDV3055L104T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 12A, 104mΩ Power MOSFET, N-Channel, 60 V, 12 A, Logic Level
60 V 12 A 104 mOhm Surface Mount N-Channel Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
1.5W(Ta),48W(Tj) 15V 2V@ 250¦ÌA 20nC@ 5 V 1N 60V 104m¦¸@ 6A,5V 12A 440pF@25V TO-252-3
Transistor MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin DPAK T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage70 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen