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Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SGW5N60RUFDTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IGBT 600V 8A 60W D2PAK
N-CHANNEL IGBT
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time280 ns
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Reverse Recovery Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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