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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2011-03-02
LTD Date2011-09-02
Verwandte Teile
onsemiHUF76419S3ST
75W(Tc) 3V@ 250µA 28nC@ 10V 1individualNChannel 60V 35mΩ@ 29A,10V 900pF@25V D2PAK SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SFW9Z34TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
3.8W(Ta)，82W(Tc) 4V@ 250µA 38nC@ 10V 1individualPChannel 60V 140mΩ@ 9A,10V 1.155pF@25V D2PAK SMD mount
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 18A Tc 3.8W Ta 82W Tc 60V -55C~175C TJ
60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFW9Z34
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.155 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation82 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max140 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Datenblätter und Dokumente
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