onsemi RFD3055
$ 0.186
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi RFD3055 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi RFD3055, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE TO-251AA SILICON Mosfet Transistor 12A 60V 0.15Ohm
MOSFETs Power MOSFET N-Ch 60V/12a/0.150 Ohm
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:TO-251AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Transistor Polarity:N Channel; Current Rating:12A; Voltage Rating:60V RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation53 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation53 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi RFD3055 herunter.