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Verwandte Teile
onsemiHUF76407D3
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
InfineonIRFU9024NPBF
MOSFET, Power; P-Channel; 20 Volts (Max.); -11 A (Max.); 38 W; 13 ns (Typ.)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76407D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
12 A 60 V 0.117 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-251AA
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-251
MOSFETs 11a, 60V N-Channel Logic Level
38W(Tc) 3V@ 250µA 11.3nC@ 10V 1individualNChannel 60V 92mΩ@ 13A,10V 350pF@25V IPAK Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance92 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max92 mΩ
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)60 V
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