onsemi NVMFS5113PLWFT1G
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$ 1.43
Stock
237,868
707,958
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
10 A
Threshold Voltage
-
-2.5 V
Rds On Max
-
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
-
4.4 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMFS5113PLWFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Ch MOSFET 60V 14mΩ@17A 10A 64A 4.4nF@25V SO SMD 3.8W(Ta) 150W(Tc) 20V 2.5V@250µA 83nC@10V
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN / P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet's - Single; |Onsemi NVMFS5113PLWFT1G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen