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Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-03-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NVMFS5113PLT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NVMFS5113PL Series -60 V -64 A 14 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - DFN-5

Future Electronics

MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN / P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Win Source

3.8W(Ta)，150W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 83nC@ 10 V 1individualPChannel 60V 14mΩ@ 17A,10V 10A，64A 4.4nF@25V SO-8FL SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm

UnikeyIC

MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, -64A, DFN5; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -64A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.0105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NVMFS5113PLT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -43.64%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance14 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-60 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.4 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation3.8 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max14 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-2.5 V

Turn-Off Delay Time54 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NVMFS5113PLT1G herunter.