onsemi NTP85N03G
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Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
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$ 0.263
Stock
1,426,972
408,886
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
28 V
28 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
2.15 nF
2.15 nF
Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-09-30
LTD Date2010-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTP85N03G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 85A Tc 85A 80W 30ns
Trans MOSFET N-CH 28V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET 85 Amps, 28 Volts
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs- Power and Small Signal 28V 85A N-Channel
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage28 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)28 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)28 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width25.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen