onsemi NTMS4700NR2
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Obsolete
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3-Monats-Trend: -14.29%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
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1 Teil verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.604
$ 0.263
Stock
309,334
264,805
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.6 A
8.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 mΩ
7.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.56 W
860 mW
Input Capacitance
1.6 nF
1.6 nF
Verwandte Teile
InfineonBSO083N03MSGXUMA1
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMS4700NR2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 14.5A N-Channel No-Cancel/No-Return
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 8.6A Ta 8.6A 1.56W 5ns
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation860 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max7.2 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time29.5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen