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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiNTMS10P02R2G

onsemiNTMS10P02R2

Price @ 1000

$ 0.621

$ 0.647

Stock

1,206,838

514,923

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

10 A

Threshold Voltage

-880 mV

Rds On Max

14 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

2.5 W

Input Capacitance

3.64 nF

Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-08-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTMS10P02R2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel 20 V 14 mOhm 2.5 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

Future Electronics

Single P−Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -10A, 14mΩ

onsemi

NTMS10P02R2G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.4 A, 20 V, 8-PIN SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

-10 AMPS, -20 VOLTS P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE SOIC-8 PACKAGE POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

1.6W(Ta) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 70nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 14m¦¸@ 10A,4.5V 8.8A 3.64nF@16V SOIC-8 SMD mount 1.75mm(height)

UnikeyIC

MOSFET, P-CH, -20V, -8.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-8

element14 APAC

Bilder

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

LZChips

Future Electronics

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTMS10P02R2G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -100%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

Number of Pins8

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Current Rating-10 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance14 mΩ

Element ConfigurationSingle

Fall Time110 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance3.64 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max14 mΩ

Resistance14 MΩ

Rise Time40 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-880 mV

Turn-Off Delay Time110 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height1.5 mm

Length5 mm

Width4 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTMS10P02R2G herunter.