onsemi NDS9952A

Trans Mosfet N/p-ch 30V 3.7A/2.9A 8-PIN SOIC N T/r
$ 0.475
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
VericalNDS9952A1.236656
Rochester ElectronicsNDS9952A100
3h
Win SourceWS-NDS9952A2.905185
3h
ICPartonlineNDS9952A16.504
>1wk
Worldway ElectronicsNDS9952A26.6517Tape & Reel
1h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 4 Jahren

Farnell

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onsemi

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Verwandte Teile

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InfineonIRF7306PBF
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InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
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InfineonIRF7326D2TRPBF
2W(Ta) 20V 1V@ 250¦ÌA 25nC@ 10 V 1P 30V 100m¦¸@ 1.8A,10V 3.6A 440pF@25V SOIC-8 1.5mm
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onsemiNDS8961
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) Lead Free Mosfet Array 10nC @ 10V 3.1A 900mW 3ns
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS9952A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
Verical
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:3.7A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET N & P CH 30V 3.7/-2.9A 8SOIC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N/P ; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.7A; On State Resistance:80mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.7V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Farnell
These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC
Newark
Farnell
Farnell
iiiC
Rochester Electronics
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDS9952A..