onsemi NTHD5903T1
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Obsolete
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1 Teil verfügbar
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Price @ 1000
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$ 0.336
Stock
211,214
122,613
Authorized Distributors
1
3
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
2.2 A
2.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
155 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.1 W
1.1 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTHD5903T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal -20V -3A Dual No-Cancel/No-Return
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET / Mosfet Array
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current, Id:-3A; On-Resistance, Rds(on):155mohm; Package/Case:1206A; Drain-Source Breakdown Voltage:-20V; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:Surface Mount RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating-2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance155 mΩ
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingBulk
Power Dissipation1.1 W
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen