Vishay SI5513CDC-T1-E3
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Production
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI5513CDC-T1-E3CT-ND | 8.111 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI5513CDC-T1-E3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | 5h | |||||||
| TME | SI5513CDC-T1-E3 | 0 | 3K | 15h | ||||||||
| Newark | SI5513CDC-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI5513CDC-T1-E3 | 0 | 3K | 2d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI5441BDC-T1-E3
Single P-Channel 20 V 0.045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
onsemiECH8675-TL-H
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) 8 Mosfet Array 7.3nC @ 4.5V 4.5A 1.5W 63ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI5513CDC-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N / P-Ch 20 V 4 A 45/120 mOhm 3.1 W (D - S) Mosfet - 1206-8 CHIPFET
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R
N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
N & P Ch 20-V(D-S) Complementary |Vishay SI5513CDC-T1-E3
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.7KW@ N Channel|1.3KW@ P Channel 12V 1.5V@ 250¦ÌA 4.2nC@ 5V 2N+2P 20V 55m¦¸@ 4.3A,4.5V 4A,3.7A 285pF@10V CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.1mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance285 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen