onsemi NTHD4401PT1G

Name: onsemi NTHD4401PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD4401PT1G

Power MOSFET 20V 3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET

$ 0.23

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	NTHD4401PT1G	1.768	1304						0,257
Rochester Electronics		NTHD4401PT1G	1.173.045					0,277	0,230	0,205	1h
Win Source		WS-NTHD4401PT1G	10.800	4			13,554	11,013	11,013	11,013	2h
Worldway Electronics		NTHD4401PT1G	27.689	7	Tape & Reel		0,068	0,065	0,062	0,062	33m
Fmall Co., Limited		NTHD4401PT1G	44.610			0,179	0,179	0,167	0,157	0,144	>1wk

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 20 Jahren

onsemi

Farnell

DigiKey

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onsemiNTHD4401PT1G

onsemiNTHD4401PT3G

Price @ 1000

$ 0.23

Stock

4,649,170

482,641

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SMD/SMT

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

2.1 A

Threshold Voltage

Rds On Max

155 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

1.1 W

Input Capacitance

300 pF

Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-07-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2010-07-21

LTD Date2011-01-21

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTHD4401PT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET 20V 3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET

onsemi

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 2.1A 8-Pin Chip FET T/R

Avnet

2100 mA 20 V 2 CHANNEL P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET

Component Stockers USA

MOSFETs- Power and Small Signal -20V -3A Dual P-Channel

Mouser

Small Signal Field-Effect Transistor

IHS

Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Array 6nC @ 4.5V 2.1A 1.1W 13ns

Fly-Wing Technology

Bilder

Augswan

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSMD/SMT

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.1 A

Current Rating-2.1 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Fall Time13 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance300 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.1 W

Min Operating Temperature-55 °C

Power Dissipation1.1 W

Rds On Max155 mΩ

Rise Time13 ns

Turn-Off Delay Time33 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

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